NTE261中文资料
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- 厂家：NTE Electronics
- 描述： T-NPN-DARL 100V HFE 1000 T-NPN,DARL 100V,HFE 1000 NTE Silicon Darlington Transistor, Maximum Collector Power Dissipation: 65 W, Maximum Continuous Collector Current: 8 A, Maximum Breakdown Voltage: 100 V, Maximum Continuous Base Current: 120 mA, Typical Forward Current Gain: 1000 Min, Case Style: TO220
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更新时间:2023-01-28 06:33:35- 供应商
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